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观焦点:消息称 SK 海力士正开发基于 238层NAND的UFS4.0 闪存

IT之家8月16日消息,据外媒THELEC今日报道,半导体业界人士透露,SK海力士计划最早明年上半年量产采用238层NAND(V8)的最新U

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